PE-CVD解決方案

與典型CVD反應器相比，等離子體增強型化學氣相沉積(PE-CVD)提供了一種可使用更低溫度沉積各種薄膜的有效替代方案，同時不會降低薄膜質量。高質量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉積，而CVD需要650℃至850℃的溫度生產類似質量的鍍膜。

PE-CVD使用電能產生輝光放電(等離子體)，其中能量轉移到氣體混合物中。這將氣體混合物轉化成反應性自由基、離子、中性原子和分子，以及其他高活性物質。在PE-CVD中，氣相和表面反應受到等離子體性質的強烈控制。代替熱活化，氣體混合物的電子碰撞電離驅動氣相反應，能夠在比常規CVD工藝低得多的溫度下進行沉積。 對于PE-CVD，沉積速率通常不是基片溫度的強函數，表面活化能通常很小。然而，薄膜性質，例如，組成、應力和形態，通常是基片溫度的強函數。

等離子體增強CVD的優點

PE-CVD鍍膜的一些理想性能包括，良好的粘附性、低針孔密度、良好的保形性，以及平面和三維表面上的均勻性。 PE-CVD的實用性和靈活性在于，其能夠在從硅片到汽車部件的各種基材上沉積高質量的鍍膜。此外，等離子體增強CVD系統比常規CVD提供更低的擁有成本。

丹頓真空公司專門從事等離子增強CVD (PE-CVD)，沉積類金剛石(DLC)鍍膜。DLC鍍膜是一類無定形碳膜，表現出與金剛石相似的性能，例如，硬度、抗刮擦性和高導熱性。此外，DLC鍍膜由于其生物相容性、紅外透明性和電絕緣性能，在商業方面價值。丹頓公司已經開發專有的能力，擴展DLC的特性范圍，包括抗指紋和疏水性。

我們的 Voyager PE-CVD解決方案提供低溫濺射，具有高度均勻性